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HUF75307T3销售

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HUF75307T3ST
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HUF75307T3ST技术资料：MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT-223

标准包装：2,500
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：55V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2.6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：90 毫欧 @ 2.6A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：17nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：250pF @ 25V
功率 - 最大值：1.1W
安装类型：表面贴装
封装：TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：SOT-223-3

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HUF75307T3ST-NL 优势库存
FAIRC
SOT-223
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HUF75307T3ST 优势库存
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SOT-223-4
2023+
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HUF75307T3ST-NL
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